با ذکر موارد فوق باید گفت که اراضی ملی به موجب ماده 1 قانون ملی شدن جنگل ها و مراتع مصوب 1341 جزو اموال عمومی محسوب می شوند و مالکیت دولت بر آن ها به سبب ادارۀ آن ها می باشد و جزو اموال دولتی به مفهوم خاص محسوب نمی شود. همچنین اراضی موات خارج از محدوده شهرها به موجب قانون مرجع تشخیص اراضی موات و ابطال اسناد آن مصوب 1365 دارای مرجع تشخیص متفاوت از اراضی موات داخل محدوده شهرهاست و دولتی محسوب و سند مالکیت آن ها به نام دولت صادر می شود. طبق ماده 1 و 2 قانون ملی شدن جنگل، عرصه و اعیانی کلیه جنگل و مراتع و بیشه های طبیعی و اراضی جنگلی کشور جزء اموال عمومی و متعلق به دولت اعلام گردید و تصرف و اسناد مالکیت افراد بی اعتبار تلقی شده است. حفظ، احیاء و توسعه منابع فوق و بهره برداری از آن ها به عهده سازمان جنگل بانی ایران واگذار شد. اما در پی تصویب قانون حفظ و حمایت از منابع طبیعی و ذخایر جنگلی کشور مصوب 1371 این مهم به وزارت جهاد سازندگی محول شد. لازم به ذکر است مطابق تبصره های 2 و 3 ماده 3 همان ماده توده های جنلگی محاط در زمین های زراعی که در اراضی جنگلداری شمال کشور و در محدوده اسناد مالکیت رسمی اشخاص واقع شده باشند، عرصه و محاط تاسیسات و خانه های روستایی و همچنین زمین های زراعی و باغات واقعه در محدوده اسناد مالکیت جنگل ها و مراتع که تا تاریخ تصویب قانون ملی شدن جنگل احداث شده اند و اراضی موات و بایر واقع در محدوده قانونی شهرها از شمول قانون ملی شدن جنگل ها خارج اند. اکنون با ادغام وزارت خانه های جهاد سازندگی و کشاورزی و تشکیل وزارت جهاد کشاورزی وظایف مذکور در حیطه اختیارات این وزارتخانه می باشد و از طریق سازمان جنگل ها، مراتع و آبخیزداری کشور به اجرای آن مبادرت می نماید. در تازه ترین اقدام نیز شعب و دادگاه ویژه در زمینه رسیدگی به این زمینه تشکیل شده است.

ب: ضرورت پژوهش

مهمترین ضروتِ انجام پژوهش این است که با توجه به تغییراتی که در شیوه اعتراض به ملی شدن اراضی ملی صورت گرفته است تا کنون اثر منقح و قابل اتکایی در این زمینه کار نشده است؛ کتبی که نیز در این زمینه موجود است بیشتر به کلیات پرداخته و گذشته از آن به روز نیستند. در این راستا با توجه به اینکه تشخیص اولیه اراضی ملی با سازمان جنگل ها، مراتع و آبخیزداری کشور (مرجع اداری تشخیص اولیه) می باشد این ضرورت آشکار می شود که طرق اعتراض به ملی شدن نزد محاکم قضایی چگونه بوده و اصولا رویه و سیر اعتراض به آرای این مراجع چگونه است؟ پاسخ به این موارد، همچنین تشریح انواع اراضی با تکیه بر اراضی ملی در این پژوهش مورد تأکید قرار گرفته است.

ج: سوالات تحقیق

سوال اصلی

خرید فایل متن کامل این پایان نامه :

• جایگاه اراضی ملی در انفال چیست؟

سوالات فرعی

• طبق آخرین تحولات قانونگذاری و قضایی، فرایند رسیدگی و اعتراض به ملی شدن اراضی توسط اشخاص حقیقی و حقوقی به موجب کدام قوانین انجام و مرجع رسیدگی به این اعتراضات کدام است ؟
• معیار تمیز انفال چیست؟

د: فرضیه های تحقیق

فرضیه اصلی:

باتوجه به اصل 45 قانون اساسی، اراضی ملی از مصادیق بارز انفال و دارای جایگاه ویژه ای است.

فرضیه فرعی:

• از سال1390، رسیدگی به پرونده های جدید منابع طبیعی در صلاحیت شعب ویژه مطابق با قانون افزایش بهره وری کشاورزی است.
• معیار تمیز­ انفال، مالک خاص نداشتن است.

ه: هدف تحقیق

تغییرات قوانین و مقررات اخیر در مورد قابلیت اعتراض در مراجع سابق مانند کمیسیون ماده واحده با تشکیل شعب ویژه تا کنون، ابهاماتی ایجاد کرده است که شناخت دقیق اراضی ملی و چگونگی اعتراض به ملی شدن اراضی مهم می نماید که بررسی آن مهمترین هدف این تحقیق است. در کنار  این امر مساله مهم دیگر نیز قوانین حاکم در این زمینه است. این نکته نیز قابل توجه است که با اتمام کار کمیسیون ماده واحده(با احتساب عدم ورودی پرونده جدید به این کمیسیون) این سوال مطرح می شود که اشخاص چگونه می توانند اعتراضات خود را پیگیری کنند. در کنار این اهداف نیز می توان به اهداف دیگر این تحقیق اشاره کرده که شامل مواردی در رابطه با نقش کاداستر در جلوگیری از زمین خواری و نقش شواری حفاظت از بیت المال در جلوگیری از تملک و تصرف اراضی ملی را ذکر کرد.

و: روش پژوهش

با بهره گرفتن از مدل ترکیبی؛ توصیفی و تحلیلی به مطالعه موضوع پرداخته و جهت بررسی مسأله، فرضیه و پرسش­های پژوهش با بهره گرفتن از روش کتابخانه­ای و از طریق منابع مکتوب نظیر کتب، مقالات، پایان نامه ­ها، پژوهش­ها، قوانین و مقررات و اینترنت به این امر اقدام نموده­ام.

بیان مسئله

1-2-1- مسئله چیست و مشکل کدام است؟

یکی از کامل ترین توصیفاتی که درباره خانه آمده توصیفی است که جبران خلیل جبران در کتاب «پیامبر» خود آورده: «خانه کالبد بزرگ شماست.» در این بیان خانه به شدت به وجود انسان وابسته است و از وجود و ویژگیهای انسانی متاثر میباشد و واسطهای است که انسان بین خود و جهان پیرامونش برگزیده.

خانهها و الگوهای زندگی انسان با تحول و تکامل او رشد کرده و با ویژگیها و نیازهای او سازگار میگردند و از محدودیت و یا انبساط ذهنیت او متاثر میشوند. در واقع آنچه که در رأس همه عوامل در تجارب خانه سازی انسان موثر بوده خود او و روان دلیل میتوان ادعا کرد که خانه ارگانیسمی متغیر بوده و مفاهیم متعدد و پیچیدهای دارد.

تحولات عظیم و تجربه خانه سازی در دوران معاصر این امر را به روشنی نشان میدهند. با عوض شدن شیوه زندگی مفهوم و مصداق خانه و سکونت جای خود را به واحد مسکونی و اسکان واگذار کرده و نسلهای جدید راه و روش و شیوه و منش دیگری را برای زندگی خصوصی و اجتماعی خود برگزیدهاند.

نکته قابل اهمیت این است که سازمان فضایی خانه نیز تحت تاثیر این رویکرد به شدت دگرگون شده و این تاثیر عمیقی است که بر جای مانده و به راحتی قابل لمس میباشد. خانههای کوچک و جمع و جور و راحت جای خانههای بزرگ قدیمی و پر دردسر را گرفتهاند و امکانات بی نظیر و آسایش خانههای جدید مورد استقبال نسل امروز واقع شده و دلمشغولی معماران و مسئولان امروز مفاهیمی چون مسکن اجتماعی با زیر بنایی محدود- ضرورت اسکان در ارتفاع و بحثهایی از این قبیل را تشکیل میدهد و این در حالی است که این قبیل مسائل در گذشته مطرح نبوده است. خانهها جعبههایی هستند که روی هم گذاشته شدهاند.

اما بحث ما در اینجا ارائه تحلیل سطحی و یا جامع از نارساییهای موجود و پرداختن فوری به راه حلها و راهکارها نیست، بلکه این اعتقاد قوی وجود دارد که این مسائل ریشه دار تر و عمیق تر از آن میباشند که تنها در ذکر چند واژه خلاصه شوند و باید پرسید که منشا این مشکلات در چیست و اینکه:

*چه عواملی روشها و تجارب (سنت) گذشته را بی اعتبار کرده و به وضعیت موجود انجامیده است ؟

*چه بستر و زمینهای و چه دلایلی کارایی شیوهها و وضعیت موجود را زیر سئوال میبرد؟

با وجود تکامل خانهها باز هم این توافق به طور گسترده وجود دارد که خانههایی که ما در آنها زندگی میکنیم برای مردم امروز طراحی نشدهاند و شرایط نشان میدهد که ما به فرم جدید و ساختار کاملاً متفاوتی از خانهها نیاز داریم که پاسخگوی ویژگیها و شرایطمان باشد چرا که به نظر میرسد خانههای امروز معنای جدیدی پیدا کردهاند. با

خرید فایل متن کامل این پایان نامه :

 روند رو به رشد و فزاینده جمعیت بحران فضا امری بدیهی است. مسلماً فضای زندگی محدودتر میشود و باید پرسید در این شرایط سکونت چه معنایی دارد؟ همینطور خانه دیگر در طبیعت ساخته نمیشود و در نتیجه روابط مسکن و فضا ساختگی و تصنعی است. همینطور استفاده رو به گسترش از فن آوری دیجیتال و ارتباطات- محدودیت فضای زندگی- توجیه اقتصادی- نحوه عملکرد و زندگی ما- نیاز به فضاهایی برای تفکر و تناسب فیزیکی و سلامتی روان و تغذیه روح انسانی- ارتباط با محیط شهری و در عین حال برخوردار از خلوتی درونی و شخصی و …

فرم خانه دائماً تکامل یافته است و ما نمیتوانیم به برداشت و تصور قبلی مان از خانه ادامه دهیم و در عین حال مشکلات را برطرف سازیم. یکی از اشتباهاتمان کم بها دادن به امکانات الگوهای جدید و پافشاری بی مورد بر الگوهای رایج و یا گذشته است. در حالیکه بسیاری از پیشتازان این زمان معتقدند که ما در انقلاب صنعتی دیگری هستیم و هزاره آینده خانههایمان را گریز از طرحهاو کانسپتهای بنیادین فرداهای دیروز میدانند.

در انتهای این بحث برای تاکید بر چنین برداشت و رویه غلطی که ما در ایران در نتیجه تحلیلهای سطحی و راه حلهای فوری در پیش گرفته ایم باید خاطر نشان کرد که در ایران بجز الگوی سنتی سکونت که همه آنرا میشناسیم الگوی دیگری وجود ندارد و آنچه پس از آن شاهد هستیم درایت و التقاط میباشد. باید به این نکته توجه داشت که اصرار بر تعریف یک الگوی ویژه ایرانی در ابتدا کاملاً اشتباه است و ما را از بحث اصلی دور میسازد. ما نیز همگام با بسیاری از ملل دیگر از مزایای دستاوردهای جهانی بهره میگیریم و البته این به معنای تناقض نیست و ایرانی بودن ما را زیر سئوال نمیبرد. اما مبین این مطلب است که در چنین شرایطی نمیتوانیم بر واقعیتی پافشاری نماییم که دیگر وجود خارجی ندارد.

در جامعه و نظام اجتماعی ایران دیگر خبری از خانوادههای گسترده نیست و ما دیگر هزینه و یا زمین کافی برای احداث خانه- باغهای گذشته (البته اگر چنین تعبیری کاملاً صحیح باشد) در اختیار نداریم.

کارایی ادوات نیمه هادی در مصارف مختلف، به چگونگی ساختار آن ها و پارامترهای مختلف الکتریکی وابسته است. در میان افزاره های مختلف نیمه هادی، ترانزیستورهای اثر میدان توجه صنعت الکترونیک را به خود جلب کرده است. کارایی بالای این افزاره ها، موارد استفاده ی آن ها را از نانوتکنولوژی تا ترانزیستورهای قدرت گسترش داده است ]3-1[. در افزاره های قدرت، پارامترهایی از قبیل ولتاژ شکست، مقاومت حالت روشن ، سرعت کلیدزنی و فرکانس کاری، از ویژگی های الکتریکی مهم تر می باشند. بنابراین، برای بهبود کارایی این دسته از افزاره ها می بایست ضمن بررسی عملکرد دقیق هر ساختار، روش های نوینی را ارائه و مورد ارزیابی قرار داد.
در این فصل به بررسی مشخصه ی ترانزیستور اثر میدان پرداخته می شود، تا با درک مفهوم کلی و نحوه ی سازوکار این ترانزیستور ها، بتوان ترانزیستورهای قدرت را مورد ارزیابی قرار داد. در ادامه ی این فصل نیز به کاربردهای افزاره های قدرت و انواع آن ها اشاره شده است.
1-1) مشخصات جریان-ولتاژ ترانزیستور اثر میدان MOSFET
مشخصه ی جریان- ولتاژ ترانزیستور MOS در شکل (1-1) نشان داده شده است. چنانچه ولتاژ مثبت VD بین درین و سورس و ولتاژ VG کمتر از ولتاژ آستانه به گیت اعمال شود، افزاره در حالت انسداد قرار می گیرد. این ولتاژ انسداد MOSFET با شکست بهمنی محدود می شود. با توجه به شکل (1-1)، در ولتاژهای VD پایین، مشخصه ی جریان-ولتاژ شبیه یک خط راست می باشد که به این قسمت، ناحیه ی اهمی ترانزیستور می گویند.
با توجه به شیب خط راست و برای یک ولتاژ گیت معیّن VG، مقاومت حالت روشن بدست می آید. همچنین در این مشخصه، گذر بین ناحیه اهمی و ناحیه سوراخ شدگی ، شبه اشباع نامیده می شود.
همان طور که در شکل مشاهده می شود، این ناحیه به صورت سهمی وار است.
شکل (1-1)- مشخصه جریان-ولتاژ ترانزیستور MOSFET ]4[.
1-1-1) مشخصات کانال ترانزیستور MOSFET
برای بررسی مشخصات ناحیه ی کانال، به گیت ترانزیستور ولتاژی بیشتر از ولتاژ آستانه اعمال می شود تا کانال در آستانه ی وارونگی قرار گیرد. این شرایط در شکل (1-2) نشان داده شده است. بار کانال در حالت وارونگی از رابطه ی زیر بدست می آید:
(1-1)
که در این رابطه، C ox خازن مربوط به اکسید گیت است و VT ولتاژ آستانه ترانزیستور می باشد. باید توجه شود که حامل ها در برقراری جریان در کانال وارونه، نقشی اساسی دارند. با بررسی مقاومت ناحیه ی کانال می توان رابطه ای را برای جریان بدست آورد. مقاومت ناحیه ی کانال در حالت وارونگی از رابطه زیر بدست می آید ]4[:
(1-2)
که در آن، L طول ناحیه کانال ترانزیستور می باشد و W، پهنای آن است. پارامترهایی که به هندسه افزاره مربوط می-شود را می توان به صورت:
(1-3)
نشان داد.
شکل (1-2)- کانال ترانزیستور MOSFET: الف) VD≤VG-VT ب) VD=VG-VT ج) VD≥VG-VT ]4[.
با افزایش جریان، افت ولتاژ V(y) در طول کانال توسعه می یابد. در این شرایط، کانال ترانزیستور نازک تر می شود. همچنین، در طول کانال (y)، بار Q(y) وجود دارد. با در نظر گرفتن بار Q(y)در کانال ترانزیستور می توان مقاومت کانال را در راستای yبدست آورد. چنانچه یک جزء دیفرانسیلی dR از مقاومت کانال ترانزیستور را در نظر بگیریم، با توجه به معادله (1-2) می توان نوشت:
(1-4)
که در این رابطه، Q(y) برابر است با:
(1-5)
در جزء دیفرانسیلی dR، افت ولتاژ از رابطه ی زیر بدست می-آید:
(1-6)
با جایگذاری معادلات (1-4) و (1-5) در معادله ی (1-6)، جریان به صورت رابطه ی زیر می شود:
(1-7)
که در آن، ولتاژ VD بین مرزهای 0=y و L=y از رابطه:
(1-8)
بدست می آید.
با انتگرال گیری از رابطه ی (1-8)، مشخصه ی جریان درین بر حسب ولتاژ گیت برای محدوده ی VD<VG-VT بدست می آید:
(1-9)
این مشخصه، مربوط به قسمت سهمی وار (شبه اشباع) شکل (1-1) است. برای ولتاژهای درین پایین، جریان درین را می-توان به صورت زیر تقریب زد:
(1-10)
این رابطه برای ناحیه ی اهمی معتبر است. گذر از ناحیه ی سوراخ شدگی، با مشتق گیری از رابطه ی (1-9) بدست می-آید ، بعد از آن کانال، برای ولتاژ:
(1-11)
در حالت سوراخ شدگی قرار می گیرد.
برای ولتاژهای درین بالا، با وارد کردن معادله ی (1-11) در معادله ی (1-9)، مشخصات ترانزیستور در ناحیه سوراخ شدگی بدست می آید. در این ناحیه، جریان حتی برای ولتاژهای درین بالا، تقریباً ثابت باقی می ماند:
(1-12)
با توجه به رابطه ی (1-12)، جریان IDsat مستقل از VD است. علّت فیزیکی این پدیده، نفوذ میدان الکتریکی به داخل ناحیه ی P می باشد. بنابراین، وقتی که ولتاژ درین به طور موثری افزایش یابد، طول کانال کوتاه تر می گردد . کوتاه شدن طول کانال موجب افزایش جریان در ولتاژهای بالا می شود.
چنانچه رابطه ی (1-9) با مشخصات افزاره های قدرت واقعی مقایسه شود، می توان دریافت که این رابطه نمی تواند رفتار واقعی افزاره های قدرت را توصیف کند ]5[. در این رابطه، ناحیه ی تخلیه ی ایجاد شده در زیر ناحیه کانال منظور نشده است. بنابراین چنانچه بار فضا در مشخصه ی جریان-ولتاژ لحاظ شود، رابطه ی زیر بدست می آید:
(1-13)
که در این رابطه، CD از رابطه ی زیر بدست می آید:
(1-14)
همچنین VTΔ ولتاژ مورد نیاز برای گسترش ناحیه ی بار فضا به سمت ناحیه ی P و با میزان تزریق NA می باشد که به صورت زیر بیان می گردد :
(1-15)
لازم به ذکر است که مقدار VTΔ تقریباً برابر با 81/0 ولت است. بنابراین می توان جریان درین را با در نظر گرفتن بارفضا بدست آورد تا روابط بدست آمده به مشخصات افزاره های قدرت واقعی نزدیک تر باشند.

بنابراین با محاسبه ی مشخصه ی جریان –ولتاژ، می توان رفتار ترانزیستور را مورد ارزیابی قرار داد. با توجه به این که این رساله به بررسی ترانزیستورهای قدرت اثر میدان می پردازد، می بایست با توجه به کاربردهای افزاره های قدرت، تغییراتی را در ساختار ترانزیستورهای اثر میدان ایجاد کرد تا بتوان مشخصه ی مطلوب را بدست

خرید فایل متن کامل این پایان نامه :

 آورد. در ادامه ی فصل به این موضوع پرداخته شده است.

1-2) کاربردهای ادوات قدرت
ادوات قدرت با توجه به کاربردهایشان در طیف گسترده ای از سطوح مختلف قدرت مورد استفاده قرار می گیرند. با توجه به شکل (1-3)، کاربردهای ادوات قدرت در چند گروه تقسیم بندی می شوند. اولین گروه، کاربردهایی است که افزاره نیاز به جریان کم دارد (عموماً کمتر از یک آمپر). این کاربردها، مانند راه اندازهای نمایشگرها، معمولاً نیاز به تعداد بسیار زیادی ترانزیستور دارند که می بایست قابلیت ولتاژ شکست حدود 300 ولت را داشته باشند. ابعاد کوچک ترانزیستورهای با جریان پایین، این اجازه را می دهد تا آن ها را در یک تراشه مجتمع سازی کنیم.
دومین گروه، شامل کاربردهایی است که حوزه ی عملکرد ولتاژ آن ها در مدارهای قدرت، نسبتاً کم است (کمتر از 100 ولت). خودروهای الکترونیکی و منابع قدرت مورد استفاده در صفحه نمایش کامپیوترها و لپ تاپ ها، نمونه هایی از این گروه هستند. لازم به ذکر است، ساختارهای ترانزیستورهای اثر میدان قدرت سیلیسیمی به نحوی است که کارایی قابل توجه ای در این راستا دارند، زیرا مقاومت حالت روشن پایین و سرعت کلیدزنی بالایی را از خود نشان می دهند.
سومین گروه، کاربردهای افزاره ها در مدارات با ولتاژ بالا (بالای 200 ولت) می باشد. از نمونه های این بخش می توان به موتورهای لوازم خانگی و همچنین راه اندازهای وسایل الکتریکی اشاره کرد. از آنجا که مقاومت حالت روشن ترانزیستورهای اثرمیدان قدرت سیلیسیمی متداول بسیار بزرگ است، لذا نمی توان از آن ها در کاربردهایی که در بالا بیان شد استفاده کرد. در نتیجه می بایست از ترانزیستورهای دوقطبی با گیت جدا شده (IGBT) استفاده کرد ]6[. ترانزیستورهای IGBT ترکیبی از ساختار فیزیکی ترانزیستورهای اثرمیدان و ترانزیستورهای دوقطبی می باشند ]7[.
امروزه، بیشتر ترانزیستورهای قدرت در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) شکل می گیرند ]8-17[. چنانچه این ترانزیستورها در بستری از سیلیسیم شکل گیرند، اثرات نامطلوبی را از خود بر جای می گذارند، که می توان ایجاد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی و افزایش خازن بین کانال و زیر لایه و غیره را نام برد ]18-20[. بنابراین برای کنترل این معایب، تکنولوژی SOI معرفی شده که در آن، لایه ای از اکسید مدفون در زیر ناحیه ی فعال ترانزیستور قرار گرفته -است ]21-29[. ساختارهای متعددی در تکنولوژی SOI ارائه شده که به بهبود مشخصات ترانزیستورها منجر گردیده است. در فصل های آینده به تعدادی از این ساختارها پرداخته می شود.
شکل (1-3)- محدوده ی کاربردهای ادوات قدرت.
1-3) انواع ترانزیستورهای قدرت
نمای کلی ترانزیستور MOSFET در شکل (1-4) نشان داده شده است. این ساختار، ولتاژ درین-سورس کوچکی را می تواند تحمّل کند. بنابراین، برای کاربردهای قدرت می بایست این ساختار را اصلاح نمود. در شکل (1-5)، ساختاری را با نام ترانزیستور اثر میدان نفوذی (DMOS) مشاهده می کنید که برای ولتاژهای 10 ولت و بالاتر کارایی دارد ]30-32[. در این ترانزیستور در مقابل درین ترانزیستور، ناحیه ای از نیمه هادی نوع n- ایجاد شده است که موجب انسداد ولتاژ می گردد. ترانزیستورهای DMOS افقی (LDMOS) در مدارات مجتمع قدرت مورد استفاده قرار می گیرند ]33[. امّا این افزاره ها دارای مشکلاتی از قبیل ظرفیت پایین جریان دهی می باشند، زیرا ناحیه n- قسمت بزرگی از مساحت نیمه هادی را در برگرفته است.
در سال 1985، ترانزیستور DMOS که به صورت عمودی شکل گرفته بود، ارائه شد ]34[. از میان تمامی ساختارهای موجود ترانزیستورهای قدرت، ساختار D-MOSFET اولین ترانزیستور قدرتی بود که به صورت تجاری مورد استفاده قرار گرفت. ساختار ترانزیستور D-MOS عمودی نوع n همان طور که در شکل (1-6) الف نشان داده شده است، با بهره گرفتن از اختلاف در گسترش افقی پیوندها در زیر الکترود گیت ایجاد می شود. این افزاره ها، ولتاژ مثبتی که به درین ترانزیستور اعمال می شود را متحمّل می شوند. همچنین، مقدار ولتاژ اعمال شده با میزان چگالی ناخالصی و ضخامت ناحیه ی رانشی نوع n، ارتباط دارد. لازم به ذکر است که ترانزیستورهای اثر میدانی که در کاربردهای قدرت با ولتاژ پایین به کار گرفته می شوند، مقاومت حالت روشن کوچکی دارند و مقاومت ناحیه ی رانشی سریعاً با افزایش ولتاژ انسداد زیاد می شود. این شرایط موجب کاهش کارایی ترانزیستور D-MOSFET به ولتاژهای کمتر از 200 ولت می شود.
ساختار دیگری که در کاربردهای قدرت استفاده می شود، ترانزیستور U-MOSFET است که به صورت تجاری در سال 1990 عرضه شد. همان طور که در شکل (1-6) ب مشاهده می شود، ساختار گیت این ترانزیستور به صورت جاسازی شده است ]35-37[. نحوه ی عملکرد این ساختار به طور گسترده در فصل های آتی بررسی شده است.
شکل (1-4)- نمایی از ترانزیستور MOSFET.
شکل (1-5)- ساختار ترانزیستور DMOS افقی.
(الف) (ب)
شکل (1-6)- الف) ترانزیستور D-MOS عمودی، ب) ترانزیستور U-MOS.
بنابراین با توجه به کاربردهای ترانزیستورهای قدرت و انواع آن ها، می بایست مشخصات این دسته از افزاره ها را بهبود بخشید.
در فصل دوم این رساله، به بررسی ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن پرداخته شده است. ضمن بیان دو روش کلی برای یکنواخت تر کردن توزیع میدان الکتریکی، به محاسبه ی ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن می پردازیم. همچنین در انتهای این فصل تعدادی از روش هایی که گذشته موجب بهبود مشخصات ترانزیستورهای LDMOS گردیده، بررسی شده است.
فصل سوم، به ارائه ی ساختارهای نوین ترانزیستور LDMOS که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) شکل گرفته اند، می پردازد. در ساختار نوین اول، چاه اکسیدی در ناحیه ی رانشی ترانزیستور در نظر گرفته شده و یک ناحیه ی سیلیسیمی نوع P در این چاه، جاسازی شده است. این ساختار، ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن را بهبود می بخشد. در ساختار دوم، بارهای مثبت و منفی در فصل مشترک لایه ی اکسید مدفون و ناحیه ی رانشی در نظر گرفته شده است. بارهای ایجاد شده، افزایش میدان الکتریکی عمودی را در لایه ی اکسید مدفون در پی داشته و ولتاژ شکست را افزایش می دهند. در آخرین ساختار، سه عایق اکسید سیلیسیم در ترانزیستور LDMOS تعبیه شده اند، به گونه ای که ساختاری شبیه حرف U انگلیسی ایجاد کرده اند. نتایج بدست آمده از شبیه سازی این ساختار نوین با نرم افزار ATLAS، بهبود مشخصات این ترانزیستور را نشان می دهد.
در فصل چهارم این رساله، مدلی جدید برای میدان سطحی و ولتاژ شکست ساختار RESURF ارائه شده است. اساس این مدلسازی بر حل معادله ی پواسون استوار است.
در فصل پنجم، اثر بدنه ی شناور که از مشکلات تکنولوژی SOI می باشد، بررسی شده است. برای حل این مشکل نیز ساختار جدیدی ارائه شده که هدف اصلی آن کنترل حفره هایی است که طی پدیده ی یونیزاسیون برخوردی در ناحیه ی کانال ترانزیستور، ایجاد شده اند. بنابراین، می توان با کاهش اثرات نامطلوب بدنه ی شناور، کارایی ترانزیستور LDMOS را بهبود بخشید.

یكی از مهم‌ترین عوامل محدودكننده تولید، بیماری‌های گیاهی هستند. هر ساله بخش قابل توجهی از تولیدات گیاهی در اثر بیماری‌های گیاهی از بین می‌روند و این در حالی است كه بیش از 800 میلیون نفر در جهان از غذای كافی برخوردار نیستند. تركیبات شیمیایی كه به صورت مصنوعی تولید می‌شوند، علاوه بر آلودگی‌های زیست محیطی، سلامت بشر را نیز تهدید می‌كنند (افضل و همکاران، 1997)[3].

متأسفانه اغلب رویكرد‌هایی كه طی یكی دو قرن اخیر در كشاورزی اتخاذ شده با تولید پایدار، مغایرت دارد. استفاده مكرر و  بی‌رویه از تركیبات شیمیایی، علاوه بر آلودگی محیط زیست، موجب بروز پدیده مقاومت در برابر آفت كش‌ها شده و در نتیجه پتانسیل خسارت آفرینی عوامل بیماری‌زا را به شدت افزایش می‌دهد (نارایان سامی، 2002)[4].

عوامل بیماری‌زای گیاهی در مقابل مواد شیمیایی آفت کش مقاومت نشان می‌دهند و هر روز شاهد افزایش تعداد عوامل بیماری‌زای مقاوم به آن‌ ها هستیم، بنابراین نیاز به پژوهش در راستای کشف مواد جدید ضد قارچی که تجدید شونده سازگار با محیط زیست و به آسانی قابل تهیه باشد ضروری می کند (رمضانی و همکاران، 2002)[5].

استفاده از تركیبات طبیعی در كنترل آفات و بیماری‌های گیاهی، یكی از راهكارهای كاهش مخاطرات زیست محیطی است. دراین راستا، پژوهش­گران زیادی درسال‌های اخیر به مطالعه اثرات ضد باكتریایی، ضدقارچی وحشره كشی اسانس‌ها و عصاره‌های گیاهی پرداخته‌اند (علام و همکاران، 2007)[7].

گیاهان معمولاتوانایی دفاع از خود را با تولیدانواع متابولیت‌های ثانویه شامل آلکالوئید‌ها، ترپنوئیدها، استروئیدها و دیگر ترکیبات آروماتیک که احتمالا برای دشمنان آن‌ ها نا مطلوب و یا حتی سمی‌اند را به‌دست آورده‌اند (لیو وهماکران، 2001)[8] .

گیاهان بالغ بر هزار متابولیت ثانویه طبیعی با وزن مولکولی پائین تولید می‌کنند (دیاکسون، 2001)[9]. شناخت و بررسی این متابولیت‌ها می‌تواند كمك مؤثری به كنترل آفات و امراض بنماید (ازلان و همکاران، 2003)[10].

اسانس‌هاو عصاره‌های گیاهی دارای تركیباتی با فعالیت‌های زیستی متفاوت هستند (رودریگویز و همکاران، 2005)[13].

در سال‌های اخیر شرکت‌های تجاری از نتایج یافته‌های پژوهشی در مورد خواص آفت کشی اسانس‌های گیاهی استفاده نموده و ترکیبات آفت کشی را به بازار عرضه نموده اند (لیو و هماکران، 2001).

استفاده از پتانسیل بالقوه مواد بیولوژیکی با اثرات ضدباکتریایی، ضدقارچی و حشره کشی مورد توجه محققین زیادی قرار گرفته است (مویما و همکاران، 2004).[14]

تا کنون فعالیت ضد میكروبی و حشره كشی اسانس و عصاره چندین گونه گیاه به خوبی شناخته شده و مورد استفاده قرار گرفته اند، این روش مطالعه در مورد تركیبات طبیعی كه ممكن است منجر به كشف عوامل موثر در كنترل عوامل بیماری‌زای گیاهی (باكتری‌ها و قارچ‌ها) شود، از اهمیت بسیار برخوردار است. اسانس ­های گیاهی

خرید فایل متن کامل این پایان نامه :

 گروهی از مواد موثره موجود در گیاهان هستند که خاصیت محافظت کنندگی بسیاری از آن‌ ها در برابر قارچ­ها، باکتری­ ها، ویروس­ها و انگل­ها از دیرباز شناخته شده و مورد استفاده قرار گرفته است. در سال­های اخیر به دلیل افزایش علاقه به مواد طبیعی و بالا رفتن سطح آگاهی مردم محققین با جدیت بیشتری به مسئله استفاده از اسانس ­ها و عصاره­ها پرداختند (عبدالملکی و همکاران، 1389).

رایزوکتونیا از نظر تاکسونومیکی، تنوع ژنتیکی، بیماری‌زایی و اکولوژیکی یک مجموعه بسیار متنوع و گونه معروف آنRhizoctonia solani  می‌باشد ( موردو و همکاران، 1989).[15]

تاکنون از روش‌های مختلفی به منظور کنترل بیولوژیک قارچ رایزوکتونیا سولانی[16] (R. solani) استفاده شده است. یکی از موثرترین روش‌ها، استفاده ازاسانس ­های گیاهان مختلف در کنترل این قارچ بوده است.

1-2- بیان مسئله

یکی از موثرترین روش‌ها در کنترل قارچ رایزوکتونیا سولانی استفاده از اسانس ­های گیاهان مختلف در کنترل این قارچ بوده است. این مطالعه با هدف ارزیابی اثرات ضد قارچی شش اسانس گیاهی شامل (اکالیپتوس ،آویشن،بابونه،رازیانه، رزماری، نعنا ) برقارچ رایزوکتونیا سولانی انجام گرفت.

1-3- اهمیت و ضرورت انجام تحقیق

1-4- اهداف تحقیق

– تعیین اثر بازدارندگی اسانس ­های اکالیپتوس،آویشن،بابونه،رازیانه،رزماری، نعنا بر رشد قارچ رایزوکتونیا سولانی

– تعیین اثر زمان در بازدارندگی اسانس ­های به کار رفته

– تعیین اثر متقابل نوع اسانس و  زمان در درصد بازدارندگی رشد قارچ رایزوکتونیا سولانی

– تعیین بهترین سطح هراسانس در بازدارندگی رشد قارچ رایزوکتونیا سولانی

– معرفی بهترین اسانس در بازدارندگی از رشد قارچ رایزوکتونیا سولانی

– معرفی بهترین زمان تاثیر اسانس در بازدارندگی از رشد قارچ رایزوکتونیا سولانی

1-5- سؤالات تحقیق

– آیا اسانس ­های اکالیپتوس،آویشن،بابونه،رازیانه،رزماری،نعنا تاثیری بر رشد قارچ رایزوکتونیا سولانی دارند؟

– آیا بازدارندگی رشد قارچ در سطوح مختلف تیمار‌های ذکر شده تغییر نشان می‌دهد؟

– بهترین اسانس در بازدارندگی از رشد قارچ رایزوکتونیا سولانی کدام است؟

– مناسب‌ترین غلظت هر اسانس در بازدارندگی از رشد قارچ  کدام است؟

امروزه استفاده از خودروهای الكتریكی كه در آن ها موتور الكتریكی به تنهایی نیروی پیشران را تولید می كند مرسوم نشده است. اولین عامل هزینه بسیار بالای تولید این خودروها می باشد كه باعث افزایش قیمت آن ها می گردد. علاوه بر این این خودروها به ازای هر بار شارژ شدن مسافت كمی را طی می كنند. از طرف دیگر مدت زمان لازم برای شارژ باطری در این خودروها بسیار زیاد است كه استفاده از این خودرو ها را نسبت به خودروهای احتراقی محدود نموده است ]1[.
بر طبق آمار بدست آمده در سال 1980، حدود 30 در صد از كل آلودگی كربنی تولید شده در ایالات متحده در اثر استفاده از موتورهای احتراقی^[2] بوده كه این میزان در سال 2000 به 40 درصد افزایش پیدا كرده است. یک موتور احتراقی معمولا در بهترین شرایط، بازدهی در حدود 32 درصد دارد. در حالت عادی، بازده موتور احتراقی معمولی در شهر حدود 18 درصد و در بزرگراه ها حدود 26 درصد است ]2[. یكی از راهكارهایی كه برای بالا بردن بازده موتورهای احتراقی بكار میرود پایین آوردن مصرف سوخت آن ها می باشد. به این صورت آلودگی خودروها را نیز می توان كاهش داد.
از معایب خودروهای احتراقی می توان به موارد زیر اشاره كرد ]2[:

• اندازه موتور احتراقی بگونه ای است كه بتوانند قدرت لازم جهت شتاب گیری مطلوب را برای خودرو فراهم كنند. لذا این موتورها معمولا حجیم و سنگین هستند.
• راندمان حرارتی این موتورها بستگی زیادی به نقطه كار آن ها دارد و دائما در طول حركت اتومبیل بسته به شرایط تغییر می كند. بعلاوه چون این موتورها باید بگونه ای طراحی شوند كه پاسخگوی نیاز خودرو در هنگام شتاب گیری باشند، در مواقع عادی راندمان بسیار پایینی دارند.
• كل انرژی جنبشی خودرو در هنگام ترمز گیری به گرما تبدیل شده و به هدر می رود.

با بررسی انجام شده توسط پژوهشگران متوجه این مساله شده اند كه استفاده از خودرو های هیبرید الكتریكی می تواند پاسخگوی مطالب بیان شده باشد. خودروی هیبرید^[3] به خودرویی گفته می شود كه برای تولید قدرت از دو یا چند منبع تولید كننده انرژی و مبدل انرژی بهره می برد. امروزه استفاده از منابع انرژی نو در خودروهای هیبرید با استقبال چشمگیری روبرو شده است. معمول ترین منبع انرژی نو كه در این خودروها بكار میرود، پیل سوختی می باشد. همچنین از باطری نیز در این خودروها استفاده می شود. با بكارگیری خودروهای هیبرید امكان استفاده از قابلیت های هر دو نوع خودروی احتراقی و الكتریكی فراهم می گردد. بنابراین با بهره گرفتن از خودروهای هیبرید آلودگی زیست محیطی كاهش می یابد همچنین قدرت شتاب گیری ماشین تقویت می شود ]3[. با توجه به استفاده از دو منبع اصلی پیل سوختی و كمكی باطری، كنترل این دو منبع مساله ای پیچیده می باشد. با كنترل این دو منبع می توان میزان مصرف سوخت خودرو، سطح آلودگی تولید شده و همجنین میزان شارژ باطری ها را تعیین نمود.
با توجه به مطالب مطرح شده، هدف استفاده از خودروهای هیبرید این است كه از مزایای هر دو موتور احتراقی و الكتریكی استفاده شده و معایب آن ها نیز مرتفع گردد. برخی از نقاط ضعف موتورهای احتراقی در زیر ارائه شده است ]2[.

• با بكارگیری سیستم رانش الكتریكی در كنار سیستم رانش احتراقی، بخش عمده ای از توان خودرو در مواقع شتاب گیری و شیب پیمایی توسط سیستم الكتریكی

• خرید فایل متن کامل این پایان نامه :

   

• 
•  تامین می شود. بنابراین اندازه موتور احتراقی كاهش می یابد.
• شرایط كاری موتور احتراقی بطور كامل یا جزیی از شرایط كاری خودرو نظیر سرعت، شتاب، گشتاور و توان می باشد و در نتیجه موتور احتراقی در اكثر موارد در محدوده راندمان حداكثر خودش كار می كند.
• در هنگام ترمز گیری، موتور الكتریكی بصورت ژنراتور عمل كرده و انرژی جنبشی خودرو را تا اندازه زیاد بازیافت می كند. این انرژی در هنگام شتاب گیری مجددا به خودرو برگردانده می شود.

با توجه به خودروهای هیبریدی در سال های اخیر مطالعات بسیاری درباره طراحی و ساخت این نوع از خودروها انجام شده است.
1-2 ساختارهای نوین در خودرو
یكی از مسائل مهم در استفاده از خودروهای با موتور احتراقی، آلودگی محیط زیست می باشد. استفاده از خودروهای احتراقی باعث آسیب های جدی محیط زیست و در نتیجه آن برای بشر شده است. ارتباط تنگاتنگی بین آلودگی محیط زیست بویژه در مناطق شهری با نحوه عملكرد خودروها وجود دارد. با بررسی انواع آلودگی های ناشی از خودروها و اثرات هر یک از آنها در آسیب رساندن به محیط زیست، استانداردها و حدود مشخصی برای هر یک از آلاینده ها تعیین كرده اند. هیدروكربن ها، اكسیدهای نیتروژن، منوكسید كربن و ذرات معلق مهمترین پارامترهایی هستند كه در تمامی استانداردهای مطرح شده مورد توجه قرار گرفته اند. دی اكسید كربن و دی اكسید گوگرد از محصولات ناشی از احتراق سوخت های فسیلی در موتورهای احتراق داخلی می باشند ]4[.
با توجه به روند رو به كاهش سوخت های فسیلی و نوسان های شدید بازار نفت، تحول در فن آوریهای معمول مورد استفاده در صنعت خودرو امری ضروری بنظر می رسد. همچنین مصرف انرژی هر روز در حال افزایش است كه این افزایش را می توان در كاهش مقدار ذخایر نفت در انبار های كشورهای صنعتی و قیمت جهانی نفت ملاحظه كرد. از طرفی تعداد خودروهای در حال استفاده روز به روز در حال افزایش است. بنابراین با توجه به مباحث مطرح شده منابع موجود قادر به تامین نیازهای انرژی جامعه بشری نمی باشد.
تا به اینجا برخی از مشكلات استفاده از خودروهای احتراقی مطرح گردید. بنابراین بایستی برای غلبه بر مشكلات ذكر شده خودرو های با مصرف سوخت  و آلودگی كمتر  را بكار گرفت.
1-3 تاریخچه خودروهای هیبریدی
1-4 ساختار خودروهای هیبرید
خودروی هیبرید از دو یا چند منبع انرژی و مبدل انرژی برای تولید قدرت استفاده می كند. اگر یكی از منابع بكار رفته منبع الكتریكی باشد، به خودرو هیبرید الكتریكی گفته می شود. در شكل زیر ساختار خودروهای هیبرید الكتریكی نشان داده شده است.